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확산을 통한 도핑은 불순물 양이나 깊이조절에 문제가 발생하지 그러나 대량의 많은 웨이퍼에 골고루 도핑 할 필요가 있을 경우에는 열확산법을 많이사용해 가격이 싸고 대량생산공정에 상당한 이점을 보이기 때문이지. VLSI( Very Large Scale Integrated Circuit 초고밀도 집적회로) 급의 선폭을 사용해야할땐 정확한 통제가 불가능해 반도체의경우엔 대체로 공법이나 프로세스의 개선이 요구되는 경우는 대부분 공정 미세화나 생산 효율 증대의 경우를 제외하고는 거의없다고 보면돼. 이런이유로 임플란테이션을 많이 사용하는데 불순물 양과 깊이를 조절하는 방법은 여러 서적에 나와있지만 간단하게 말해서 도펀트를 이온주입기에 주입하고, 전자기장을 강하게 걸어주면 웨이퍼상으로 강하게 충돌시켜 표면 아래로 주입..